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扑克三公下载:三代半导体 材料大不同

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  第一代

  材料:以硅(Si)、锗(Ge)等元素半导体为主

  特点:耐高温、良好的抗辐射性、绝缘性能很好

  应用:在低压、低频、中功率晶体管和光电探测器中应用广泛

  第二代

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  材料:以砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)等化合物半导体为主

  特点:适用于制作高速、高频、大功率及发光电子器件

  应用:在发光二极体(LED)照明、微波器件、光纤通讯、卫星定位等之中应用广泛

  第三代

  材料:以碳化矽(SiC)、氮化镓(GaN)等半导体为主

  特点:具有更宽的禁带宽度、更高的导热率、更高的抗辐射能力、更大的电子饱和漂移速率等特性

应用:适用于新能源汽车、物联网、光达、车用二极体、5G、卫星通信、激光器和探测器等领域

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